原标题：总投资9743亿，芯片巨头不甘落后，冲刺3nm追赶台积电
三星电子同台积电在晶圆代工上的竞争已久。1987年，三星创始人李健熙决定做半导体；而在同一年，张忠谋创建台积电。
当时，日本半导体产业因太过亮眼，而遭受美方制裁。这给韩国与中国台湾半导体产业带来了发展的机遇。于是，分别作为两个地区半导体代表企业的三星、台积电，快速发展起来。
台积电快速超越英特尔，成为全球第一的晶圆代工厂；而三星则在DRAM领域大放异彩。不过，2005年三星也设立的晶圆代工业务，开始了同台积电的直接较量。
在十余年的追赶中，三星逐渐将自己与台积电的距离缩减，但离超越还差一步。
为此，2019年三星宣布，将在2030年前投入133万亿韩元，以实现全球第一逻辑芯片制造商的目标。而且在日前，三星电子继续加码。
而据韩联社消息，5月13日，三星电子宣布在2030年时，将在逻辑芯片、晶圆代工领域投入171万亿韩元，折合人民币9743亿元。这将使三星电子的芯片市场版图进一步拓大。
从三星电子一系列的举措中科看出，三星不超越台积电不罢休。
想要超越台积电，一个重要条件便是先一步攻克下一代制程节点。为此三星没少费力。
在5nm量产进度上，三星电子已经同台积电十分逼近。而照三星此前公布的3nm时间表，其3nm量产时间同台积电一致。
不过，为了实现对台积电的超越，三星电子正推动3nm提前试产。
据中国台湾《经济日报》消息，三星在韩国平泽将建设5nm EUV新产线，而且，该产线还将用作3nm芯片风险市场。据悉，新产线将在6月中下旬启动。
三星有望先一步试产3nm。而且，三星3nm采用了MBCFEF新技术，而不是传统的FinFET技术。
可见，三星在3nm上下足了功夫，有望抢先量产。
不过，三星想要真正成为全球第一的晶圆代工巨头，目前来看还远远不够。二者在EUV光刻机上数量上的巨大差距，便是三星面前巨大的拦路石。
据业界人士预测，到2020年底，三星的光刻机还不足十台，而台积电则拥有61台。并且，二者EUV光刻机数量还将越拉越大。
这限制了三星电子的规模。为此，三星副董事长曾访问李在镕，洽谈EUV光刻机一事。
可以看出，三星电子如今的冲劲虽猛，但阻碍不少。
